[发明专利]用于图形化表面的金锡键合方法在审
| 申请号： | 201610096578.0 | 申请日： | 2016-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN107104060A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 方安乐;徐慧文;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于图形化表面的金锡键合方法，包括如下步骤S1将目标衬底及晶片叠放于键合机的上下加热基板之间，其中，所述晶片的待键合面设有至少一个凹槽；所述目标衬底的待键合面形成有用于金锡共晶键合的第一键合材料层，所述晶片的待键合面形成有用于金锡共晶键合的第二键合材料层；所述第一键合材料层与第二键合材料层中，总的锡质量配比大于20%；S2通过所述上加热基板及所述下加热基板对所述晶片及所述目标衬底施加压力，并将所述晶片及所述目标衬底加热到预设温度，使所述晶片与所述目标衬底键合。本发明可以实现晶片与目标衬底间的无缝键合，从而有效降低对后续工艺的影响，提高晶片的光电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 图形 表面 金锡键合 方法 | ||
【主权项】：
一种用于图形化表面的金锡键合方法，其特征在于，所述用于图形化表面的金锡键合方法包括如下步骤：S1：将目标衬底及晶片叠放于键合机的下加热基板与上加热基板之间，其中，所述晶片的待键合面设有至少一个凹槽；所述目标衬底的待键合面形成有用于金锡共晶键合的第一键合材料层，所述晶片的待键合面形成有用于金锡共晶键合的第二键合材料层；所述第一键合材料层与第二键合材料层中，总的锡质量配比大于20％；S2：通过所述上加热基板及所述下加热基板对所述晶片及所述目标衬底施加压力，并将所述晶片及所述目标衬底加热到预设温度，使所述晶片与所述目标衬底键合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
