[发明专利]龙泉青瓷烧制用天然气梭式窑及相应的富氧天然气燃烧法在审

专利信息
申请号: 201610096754.0 申请日: 2016-02-22
公开(公告)号: CN105674270A 公开(公告)日: 2016-06-15
发明(设计)人: 梅红玲;梅丽玲;周方武;郭兴忠;杨辉 申请(专利权)人: 浙江天丰陶瓷有限公司
主分类号: F23D14/58 分类号: F23D14/58;F23D14/66;F23L7/00
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 金祺
地址: 323707 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种龙泉青瓷烧制用天然气梭式窑,在梭式窑(1)相对应的两个侧面交叉对喷的设置气体喷枪(2),位于梭式窑(1)同一侧面的气体喷枪(2)位于同一个水平面上,相对应两个侧面的气体喷枪(2)分别位于高低两个水平面上,高低两个水平面之间的高度差为整个梭式窑内腔高度的1/3~1/2;从而实现高低错落的交叉对喷。本发明还同时提供了利用上述梭式窑进行的富氧天然气燃烧法,先将待烧制的胚体置于梭式窑(1)的腔体中,在天然气中加入纯氧进行混合,得氧气浓度为20%~24%的富氧天然气,将该富氧天然气预热至500~800℃;预热后的富氧天然气从气体喷枪(2)中喷入梭式窑(1)的腔体中。
搜索关键词: 龙泉 青瓷 烧制 天然气 梭式窑 相应 燃烧
【主权项】:
龙泉青瓷烧制用天然气梭式窑,梭式窑(1)包含气体喷枪(2),该气体喷枪(2)的喷口位于梭式窑(1)内;其特征是:在梭式窑(1)相对应的两个侧面交叉对喷的设置气体喷枪(2),位于梭式窑(1)同一侧面的气体喷枪(2)位于同一个水平面上,相对应两个侧面的气体喷枪(2)分别位于高低两个水平面上,高低两个水平面之间的高度差h1为整个梭式窑内腔高度的1/3~1/2;从而实现高低错落的交叉对喷。
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