[发明专利]一种变截面硅孔和硅通道的刻蚀方法

摘要

本发明涉及微米纳米级材料加工技术领域，尤其涉及一种变截面硅孔和硅通道的刻蚀方法。本发明的变截面硅孔和硅通道的刻蚀方法的工艺可控性强，可重复性好，通过光刻、各向异性垂直干法刻蚀、各向同性沉积、各向同性干法刻蚀、去胶步骤后，能得到变截面(如具有一定弯曲度)的硅孔结构及硅槽等微通道结构，这种结构在生物微流领域和仿生研究领域具有独特的应用前景；利用该变截面硅孔和硅通道的刻蚀方法可以根据所需的变截面刻蚀柱孔的具体参数要求选取刻蚀工艺参数，从而可以稳定精确的刻蚀出满足要求的不同形状的变截面硅孔结构及硅槽等微通道结构。

主权项

一种变截面硅孔和硅通道的刻蚀方法，其特征在于，包括以下各步骤：S1、光刻：在硅片上旋涂一层光刻掩膜层，然后对所述硅片进行光刻，得到具有图案化的硅片；S2、第一次干法刻蚀：利用干法刻蚀方法对所述图案化的硅片进行各向异性垂直刻蚀，得到具有垂直向下的等截面刻蚀柱孔的第一次刻蚀硅片；S3、沉积：对所述第一次刻蚀硅片进行各向同性沉积，得到具有钝化层的沉积后的硅片；S4、第二次干法刻蚀：利用干法刻蚀方法对所述沉积后的硅片进行各向同性刻蚀，得到第二次刻蚀硅片；所述第二次刻蚀硅片具有变截面刻蚀柱孔；S5、去胶：对所述第二次刻蚀硅片进行清洗去胶，即得。