[发明专利]阵列基板、显示面板以及液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201610098282.2 申请日: 2016-02-23
公开(公告)号: CN105572981B 公开(公告)日: 2018-05-25
发明(设计)人: 刘元甫 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 430070 湖北省武汉市武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种阵列基板,包括第一存储电容和第二存储电容,所述第一存储电容和所述第二存储电容并联形成所述阵列基板的总存储电容,从而增加了所述阵列基板的总存储电容,使所述阵列基板避免了因总存储电容过小而导致的交叉串扰、影像残留等问题,提高了所述阵列基板的品质。本发明还公开了一种应用所述阵列基板的显示面板以及一种应用所述阵列基板的液晶显示装置。
搜索关键词: 阵列基板 存储电容 液晶显示装置 显示面板 交叉串扰 影像残留 并联 应用
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:基板;形成在所述基板上的第一公共电极;覆盖所述第一公共电极的缓冲层;形成在所述缓冲层背离所述第一公共电极的表面上的有源层,所述有源层包括与所述第一公共电极相对设置的第一部分,所述第一公共电极、所述第一部分以及夹在所述第一公共电极及所述第一部分之间的所述缓冲层构成第一存储电容;覆盖所述有源层的栅极绝缘层;形成在所述栅极绝缘层背离所述有源层的表面上的介质层,所述介质层包括层叠设置的第一子介质层和第二子介质层,所述第一子介质层设置在所述栅极绝缘层与所述第二子介质层之间,所述第二子介质层的材料为氮化硅材料,所述第二子介质层用于提高有源层的电性能,所述栅极绝缘层与所述介质层上共同开设第一孔,所述第一孔用于显露部分所述第一部分;形成在所述介质层背离所述栅极绝缘层的表面上的漏区,所述漏区通过所述第一孔连接至所述第一部分;覆盖所述漏区的平坦层,所述平坦层开设用于暴露部分所述漏区的第二孔;以及依次层叠形成在所述平坦层上的第二公共电极、钝化层和像素电极,所述第二公共电极、所述像素电极以及夹在所述像素电极与所述第二公共电极之间的所述钝化层构成第二存储电容,所述像素电极通过所述第二孔连接至所述漏区。
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