[发明专利]集成电路器件及其制造方法

摘要

本公开提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括：具有不同导电类型的沟道区的第一和第二鳍型有源区；第一器件隔离层，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁；第二器件隔离层，覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁。第一器件隔离层和第二器件隔离层具有不同的堆叠结构。为了制造该集成电路器件，覆盖第一鳍型有源区的两个侧壁的第一器件隔离层和覆盖第二鳍型有源区的两个侧壁的第二器件隔离层在形成第一鳍型有源区和第二鳍型有源区之后形成。第一器件隔离层和第二器件隔离层形成为具有不同的堆叠结构。

主权项

1.一种集成电路器件，包括：一对第一鳍型有源区，在基板的第一区域中呈基本上直线排成行，所述一对第一鳍型有源区的每个具有第一导电类型的沟道区；第一器件隔离层，在所述一对第一鳍型有源区的每个的下部分的两个侧壁上延伸；第二器件隔离层，在与所述第一器件隔离层的延伸方向相交的方向上在所述一对第一鳍型有源区之间的空间中延伸；一对第二鳍型有源区，在所述基板的第二区域中呈基本上直线排成行，所述一对第二鳍型有源区的每个具有第二导电类型的沟道区；第三器件隔离层，在所述一对第二鳍型有源区的每个的下部分的两个侧壁上延伸；以及第四器件隔离层，在与所述第三器件隔离层的延伸方向相交的方向上在所述一对第二鳍型有源区之间的空间中延伸，其中所述第一器件隔离层和所述第三器件隔离层具有不同的堆叠结构，并且所述第二器件隔离层和所述第四器件隔离层具有不同的堆叠结构。