[发明专利]大尺寸Cu(111)单晶铜箔和超大尺寸单晶石墨烯的制备方法

摘要

本发明提供了一种大尺寸Cu(111)单晶铜箔和超大尺寸单晶石墨烯的制备方法。所述方法为用掺杂金属元素的多晶铜箔作为原料，利用特殊退火工艺制备出超大尺寸单晶Cu(111)，然后利用常压化学气相沉积法，以Cu(111)单晶为衬底获得超大尺寸高质量单晶石墨烯。本发明提出的方法，解决了单晶Cu(111)价格昂贵的问题，并利用衬底的调控作用制备出超大尺寸单晶石墨烯，解决了石墨烯生长中单晶尺寸小、生长过程复杂等技术问题，通过非常简单的方法，实现了铜箔单晶和高质量大尺寸的单晶石墨烯样品的制备。

主权项

一种单晶铜箔的制备方法，其特征在于，对金属元素掺杂的多晶铜箔进行退火获得单晶铜箔，所述单晶铜箔为Cu(111)单晶铜箔；掺杂的金属元素为包括Ca、Mg和Cr的组中的一种或多种，以铜箔和掺杂的金属元素的总重量为100％计掺杂的金属元素占比为0.0001wt％～10wt％；所述方法包括如下步骤：(一)、将所述金属元素掺杂的多晶铜箔平置于耐高温衬底上，放入化学气相沉积设备中，通入惰性气体，然后开始升温；(二)、温度升至800～1100℃时，进行退火过程，退火结束后即得到所述Cu(111)单晶铜箔。