[发明专利]埋入硅基板扇出型3D封装结构

摘要

本发明公开了一种埋入硅基板扇出型3D封装结构，该封装结构中，功能芯片嵌入到硅基板正面上的凹槽内，在硅基板正面凹槽外的区域制备有垂直导电通孔，通过导电通孔，功能芯片可以把电性导出至硅基板的背面，在硅基板的正面和背面可以制备有再布线和焊球。这个结构的好处是：由于硅基板和芯片之间的热膨胀系数接近，封装结构具有良好的可靠性；该结构可以进行实现3D封装互连；采用硅基板，可以制作细线条，高密度布线，可以满足高密度互连的需要；该封装结构可以更容易实现小型化，薄型化，制备方法成熟，工艺可行。

主权项

1.一种埋入硅基板扇出型3D封装结构，其特征在于：包括一硅基板(1)和至少一功能芯片(2)，所述硅基板(1)具有至少一个凹槽(103)，所述功能芯片(2)功能面向上嵌入在所述凹槽中，所述功能芯片(2)与所述凹槽之间通过聚合物粘结，所述硅基板(1)上凹槽位置外形成有至少一个穿透硅基板的导电通孔(104)，至少有一个所述导电通孔(104)与所述功能芯片(2)上的焊垫(201)电连接；所述硅基板(1)正面(101)和背面(102)均具有电性导出结构(7)；所述导电通孔(104)与所述功能芯片(2)上的焊垫(201)电连接的制作方法如下：1)在所述功能芯片与所述凹槽的侧壁之间的间隙内、所述功能芯片的焊垫面上及所述硅基板的正面上整面铺设一层第一绝缘层(401)；在硅基板的正面不包含凹槽的区域中形成至少一个具有一定深度的硅盲孔(105)；2)在第一绝缘层上及所述硅盲孔内整面铺设一层第二绝缘层(402)，并暴露出所述功能芯片的焊垫(201)；3)在硅盲孔内填充金属，使金属只填充硅盲孔的一部分，并在表面的第二绝缘层上铺设第一金属重布线(501)，并使所述第一金属重布线与所述功能芯片的焊垫电连接；4)在所述第一金属重布线上面制作一层第一钝化层(601)，在第一金属重布线预设焊盘位置打开第一钝化层，制备焊盘；5)对所述硅基板背面进行研磨减薄，使所述硅盲孔中的金属暴露出来；6)在所述硅基板背面铺设第三绝缘层(403)，并使所述硅盲孔中填充的金属暴露出来，在第三绝缘层上铺设第二金属重布线(502)，并使其与导电通孔电连接；7)在所述第二金属重布线上面制作一层第二钝化层(602)，在第二金属重布线预设焊盘位置打开第二钝化层，制备焊盘；8)在所述硅基板正面及背面上的焊盘处形成电性导出结构(7)。