[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种制造半导体器件的方法，在半导体器件的可靠性方面实现改善。在半导体衬底上，经由绝缘膜形成用于非易失性存储器中的存储器单元的存储器栅电极的硅膜，以便覆盖存储器单元的控制栅电极。在从外围电路区去除硅膜和绝缘膜之后，用于MISFET的栅电极的硅膜形成在半导体衬底的存储器单元区上的硅膜上及其外围电路区上。在图案化硅膜以在外围电路区上形成栅电极之后，从存储器单元区去除绝缘膜。随后，在存储器单元区上的硅膜上，形成氧化物膜。随后，回蚀存储器单元区上的硅膜上的氧化物膜和硅膜以经由绝缘膜形成相邻于控制栅电极的存储器栅电极。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括形成于半导体衬底的第一区中的非易失性存储器中的存储器单元以及形成于所述半导体衬底的第二区中的MISFET，所述方法包括以下步骤：(a)提供所述半导体衬底；(b)经由第一绝缘膜，在所述半导体衬底的所述第一区上形成用于所述存储器单元的第一栅电极；(c)经由第二绝缘膜，在所述半导体衬底上形成用于所述存储器单元的第二栅电极的第一导电膜，以便覆盖所述第一栅电极；(d)从所述第二区去除所述第一导电膜和所述第二绝缘膜，以在所述第一区上保留所述第一导电膜和所述第二绝缘膜；(e)在步骤(d)之后，经由第三绝缘膜，在所述第一区上的所述第一导电膜上以及在所述第二区的所述半导体衬底上形成用于所述MISFET的第三栅电极的第二导电膜；(f)图案化所述第二导电膜，以在所述第二区上形成用于所述MISFET的所述第三栅电极；(g)在步骤(f)之后，从所述第一区去除所述第三绝缘膜；(h)在步骤(g)之后，在所述第一区上的所述第一导电膜上形成第四绝缘膜；以及(i)回蚀所述第四绝缘膜和所述第一导电膜，以形成经由所述第二绝缘膜相邻于所述第一栅电极的用于所述存储器单元的所述第二栅电极。