[发明专利]用于在蚀刻氮化硅时实现超高选择比的方法有效
| 申请号： | 201610099255.7 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN105914146B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 海伦·H·朱;琳达·马尔克斯;费萨尔·雅各布;皮利翁·帕克;伊凡·L·贝瑞三世;伊夫兰·A·安格洛夫;朴俊洪 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于在蚀刻氮化硅时实现超高选择比的方法，具体提供了通过提供硅至等离子体选择性地蚀刻在半导体衬底上的氮化硅，以实现氮化硅比含硅材料的高蚀刻选择比的方法。所述方法涉及从固体硅源或流体硅源或两者提供硅。固体硅源可以在衬底的上游，例如在处理室的喷头或喷头附近，或在远程等离子体产生器中。在蚀刻期间可使硅气体源流入等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 氮化 实现 超高 选择 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻在衬底上的氮化硅的方法，该方法包括：(a)将氟化气体引入等离子体产生器并点燃等离子体，以形成含氟蚀刻物质；(b)从固体硅源提供硅至所述等离子体，所述固体硅源仅具有向所述等离子体提供硅的功能；以及(c)将所述氮化硅暴露于所述含氟蚀刻物质，以相对于所述衬底上的其它含硅材料选择性地蚀刻所述氮化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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