[发明专利]集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的制造方法在审
申请号: | 201610099350.7 | 申请日: | 2016-02-23 |
公开(公告)号: | CN107104048A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请(专利权)人: | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/335 | 分类号: | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/872 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 马爽,黄健 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的制造方法,该方法包括在硅衬底上表面依次生长氮化镓缓冲层和铝镓氮势垒层;在铝镓氮势垒层上淀积氧化层;对左侧部分区域的氧化层进行刻蚀,形成源极接触孔;对右侧部分区域的氧化层进行刻蚀,形成氧化层开孔,在氧化层开孔内刻蚀铝镓氮势垒层、氮化镓缓冲层及部分硅衬底,形成漏极接触孔;制造集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的源极及漏极;制造集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的栅极;在硅衬底下表面形成肖特基电极,以使在漏极中的源漏极金属层、硅衬底及肖特基电极形成肖特基二极管。降低了导通电压,减少了开关损耗,减少了无用功耗,进而提高了器件的转换效率及性能。 | ||
搜索关键词: | 集成 肖特基 二极管 氮化 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的制造方法,其特征在于,包括:在硅衬底上表面依次生长氮化镓缓冲层和铝镓氮势垒层;在所述铝镓氮势垒层上淀积氧化层;对左侧部分区域的氧化层进行刻蚀,形成源极接触孔;对右侧部分区域的氧化层进行刻蚀,形成氧化层开孔,在所述氧化层开孔内刻蚀铝镓氮势垒层、氮化镓缓冲层及部分硅衬底,形成漏极接触孔;制造所述集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的源极及漏极;制造所述集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的栅极;在所述硅衬底下表面形成肖特基电极,以使在所述漏极中的源漏极金属层、所述硅衬底及所述肖特基电极形成肖特基二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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