[发明专利]集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的制造方法在审

专利信息
申请号: 201610099350.7 申请日: 2016-02-23
公开(公告)号: CN107104048A 公开(公告)日: 2017-08-29
发明(设计)人: 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 申请(专利权)人: 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
主分类号: H01L21/335 分类号: H01L21/335;H01L29/778;H01L29/872
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 马爽,黄健
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的制造方法,该方法包括在硅衬底上表面依次生长氮化镓缓冲层和铝镓氮势垒层;在铝镓氮势垒层上淀积氧化层;对左侧部分区域的氧化层进行刻蚀,形成源极接触孔;对右侧部分区域的氧化层进行刻蚀,形成氧化层开孔,在氧化层开孔内刻蚀铝镓氮势垒层、氮化镓缓冲层及部分硅衬底,形成漏极接触孔;制造集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的源极及漏极;制造集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的栅极;在硅衬底下表面形成肖特基电极,以使在漏极中的源漏极金属层、硅衬底及肖特基电极形成肖特基二极管。降低了导通电压,减少了开关损耗,减少了无用功耗,进而提高了器件的转换效率及性能。
搜索关键词: 集成 肖特基 二极管 氮化 晶体管 制造 方法
【主权项】:
一种集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的制造方法,其特征在于,包括:在硅衬底上表面依次生长氮化镓缓冲层和铝镓氮势垒层;在所述铝镓氮势垒层上淀积氧化层;对左侧部分区域的氧化层进行刻蚀,形成源极接触孔;对右侧部分区域的氧化层进行刻蚀,形成氧化层开孔,在所述氧化层开孔内刻蚀铝镓氮势垒层、氮化镓缓冲层及部分硅衬底,形成漏极接触孔;制造所述集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的源极及漏极;制造所述集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的栅极;在所述硅衬底下表面形成肖特基电极,以使在所述漏极中的源漏极金属层、所述硅衬底及所述肖特基电极形成肖特基二极管。
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