[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610099821.4 | 申请日： | 2016-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN105915242B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 松野典朗 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H04B1/40 | 分类号： | H04B1/40;H04B1/3827 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置。该半导体装置包括：发射电路，将发射数据转换为具有指定频率的发射信号；放大器，放大所述发射信号的功率；匹配电路，将所述发射信号从平衡信号转换为不平衡信号；以及滤波电路，限制所述发射信号的频带，其中所述匹配电路包括初级电感器和次级电感器，所述滤波电路包括用于滤波器的电感器，以及所述初级电感器、所述次级电感器和所述用于滤波器的电感器在一个平面上基本上同心地卷绕。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n发射电路，将发射数据转换为具有指定频率的发射信号；/n放大器，放大从所述发射电路输出的所述发射信号的功率；/n匹配电路，将所述发射信号从所述放大器输出的平衡信号转换为不平衡信号；以及/n滤波电路，限制从所述匹配电路输出的所述不平衡信号的频带，其中/n所述匹配电路包括连接到所述放大器的初级电感器和连接到所述滤波电路的次级电感器，/n所述滤波电路包括用于滤波器的电感器，/n所述用于滤波电路的电感器的一端连接到所述匹配电路的输出，以及/n所述初级电感器、所述次级电感器和所述用于滤波器的电感器在一个平面上基本上同心地卷绕，/n其中所述用于滤波器的电感器和所述初级电感器之间的耦合常数小于所述初级电感器和所述次级电感器之间的耦合常数，并且所述用于滤波器的电感器和所述次级电感器之间的耦合常数小于所述初级电感器和所述次级电感器之间的耦合常数。/n
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