[发明专利]圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器的制备方法在审
| 申请号： | 201610100019.2 | 申请日： | 2016-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN105732064A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 余煜玺;黄奇凡;罗珂 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;G01K13/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器的制备方法，涉及传感器。将氧化石墨烯放入容器中，加入DMF溶液后封口，超声后得氧化石墨烯DMF分散液A；将聚硅氮烷溶液放入容器中，加入分散液A，再加入过氧化二异丙苯后封口，超声后得混合溶液B；将混合溶液B在惰性气氛中进行热交联，使淡黄色的液体变为黑色的聚硅氮烷与氧化石墨烯复合的固体，球磨成粉末，压成圆片，将圆片在惰性气体保护下热解，退火处理后得非晶态的石墨烯增强SiCN陶瓷圆片；在非晶态的石墨烯增强SiCN陶瓷圆片表面钻两个孔，插入铂丝，再将聚硅氮烷注入非晶态的石墨烯增强SiCN陶瓷圆片中，在氮气气氛下热解，即得圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 圆柱形 石墨 增强 sicn 陶瓷 温度传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)将氧化石墨烯放入容器中，加入DMF溶液后封口，将容器放入超声机中超声，得氧化石墨烯DMF分散液A；2)将聚硅氮烷溶液放入容器中，加入步骤1)得到的氧化石墨烯DMF分散液A，再加入过氧化二异丙苯后封口，超声后得混合溶液B；3)将混合溶液B在惰性气氛中进行热交联，使淡黄色的液体变为黑色的聚硅氮烷与氧化石墨烯复合的固体，球磨成粉末，然后用压片模具将粉末压成圆片，将圆片在惰性气体保护下热解，退火处理后得非晶态的石墨烯增强SiCN陶瓷圆片；4)在步骤3)得到的非晶态的石墨烯增强SiCN陶瓷圆片表面钻两个孔，在两个孔中插入铂丝，再将聚硅氮烷注入非晶态的石墨烯增强SiCN陶瓷圆片中，放入管式炉中，在氮气气氛下热解，即得圆柱形石墨烯增强SiCN陶瓷温度传感器。
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