[发明专利]一种MIM电容及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体器件的制备方法，是提供可抑制MIM电容的上下极板互连产生漏电的MIM电容制备方法，同时还在形成下极板时避免下极板所在的金属层之上的绝缘材料被刻蚀成不规则的形状。在一个基底之上由下至上依次形成下部金属层、第一介质层和上部金属层，上部金属层被图案化成一个上部电容极板，下部金属层被图案化成一个下部电容极板，第一介质层被刻蚀成上下电容基板间的层间介质层。

主权项

一种MIM电容的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、在一个基底之上由下至上依次形成下部金属层、第一介质层、上部金属层；步骤S2、执行刻蚀工艺，图案化上部金属层形成一个上部电容极板，和刻蚀第一介质层形成保留在上部电容极板下方的层间介质层；步骤S3、沉积一个第一绝缘层覆盖在上部电容极板之上和覆盖在下部金属层的裸露上表面之上，上部电容极板和层间介质层各自的侧壁也被第一绝缘层所覆盖住；步骤S4、回刻第一绝缘层，以减薄位于下部金属层的上表面上方的第一绝缘层的厚度，同时将上部电容极板和层间介质层的侧壁处的第一绝缘层回刻成侧墙；步骤S5、沉积一层或者多层绝缘材料，覆盖住上部电容极板和侧墙，以及将保留在下部金属层的上表面上方的第一绝缘层予以覆盖；步骤S6、刻蚀第一绝缘层和它上方的一层或者多层绝缘材料，以便在它们中形成一个或多个开口以暴露出下部金属层的局部区域；步骤S7、藉由第一绝缘层和它上方的一层或者多层绝缘材料作为掩膜，刻蚀并图案化下部金属层，由下部金属层交叠在上部电容极板下方的区域形成下部电容极板，并在下部金属层未交叠在上部电容极板下方的区域中形成一个或多个金属互联线。