[发明专利]肖特基二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201610100214.5 | 申请日： | 2016-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN107104154A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/41;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马爽,黄健 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体元器件技术领域。该肖特基二极管包括半导体有源层、覆盖在半导体有源层上的介质层；穿过介质层，且与半导体有源层接触的阴极和阳极，阳极包括第一导电部和第二导电部，第二导电部覆盖第一导电部的侧壁和顶面，且第二导电部的功函数大于所述第一导电部的功函数。解决了现有GaN基AlGaN/GaN材料的肖特基二极管存在的耐压能力差、损耗大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，其特征在于，包括：半导体有源层、覆盖在所述半导体有源层上的介质层；穿过所述介质层，且与所述半导体有源层接触的阴极和阳极，所述阳极包括第一导电部和第二导电部，所述第二导电部覆盖所述第一导电部的侧壁和顶面，且所述第二导电部的功函数大于所述第一导电部的功函数。
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