[发明专利]射频切换的设备和方法在审
| 申请号： | 201610100901.7 | 申请日： | 2016-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN105915236A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | B·P·沃克 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H04B1/00 | 分类号： | H04B1/00;H03K17/687 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供的是射频切换的设备和方法。在某些配置中，RF切换电路包括：串联电连接在输入端和输出端之间的两个或多个FET，两个或多个FET经由一个或多个中间节点串联连接。RF切换电路接收可用于控制两个或多个FET的栅极的DC偏置电压的第一开关控制信号，以及可用于控制一个或多个中间节点的DC偏置电压的第二开关控制信号。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 切换 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种射频(RF)系统，包括：第一RF切换电路，包括：第一端子；第二端子；配置为接收第一控制信号的第一控制端子；配置为接收第二控制信号的第二控制端子；和串联连接在第一端子和第二端子之间的两个或多个FET，其中，所述两个或多个FET包括：第一FET，包括电连接到所述第一端子的源极/漏极；和第二FET，包括电连接到第二端子的源极/漏极，其中第一中间节点沿着所述第一FET的漏极/源极和第二FET的漏极/源极之间的信号路径布置，其中，所述第一控制信号被配置为控制第一FET的栅极的DC偏置电压和第二FET的栅极的DC偏置电压，其中，所述第二控制信号被配置为控制所述第一中间节点的DC偏置电压。
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