[发明专利]用于先进沟道CMOS整合的方法、设备及系统有效
| 申请号： | 201610101485.2 | 申请日： | 2016-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN105914207B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | S·班纳 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8258 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于先进沟道CMOS整合的方法、设备及系统。至少一种所揭示的方法、设备及系统涉及半导体基材，可在该半导体基材上形成具有增强型电流驱动的NMOS及PMOS装置。形成具有增强型电子迁移率的第一基材。形成具有增强型电洞迁移率的第二基材。黏合该第一基材和该第二基材以供形成第三基材。在该第三基材上形成特征在于该增强型电子迁移率的第一沟道。在该第三基材上形成特征在于该增强型电洞迁移率的第二沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 先进 沟道 coms 整合 方法 设备 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于提供半导体底座结构的方法，其包含：形成具有增强型电子迁移率的第一基材；形成具有增强型电洞迁移率的第二基材；黏合该第一基材与该第二基材以供形成第三基材；在该第三基材上形成特征在于该增强型电子迁移率的第一沟道；在该第三基材上形成特征在于该增强型电洞迁移率的第二沟道；以及在介于该第一沟道与该第二沟道之间的该第三基材内形成浅沟隔离(STI)；其中，形成该第一基材包含：形成磷化铟(InP)层；在该磷化铟层上面形成砷化铟镓(InGaAs)层；及在该砷化铟镓层上面形成氧化铝(Al2O3)层；其中，形成该第二基材包含：形成硅(Si)层；在该硅层上面形成硅锗(SiGe)层；及在该硅锗层上方形成氧化硅(SiO2)层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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