[发明专利]用于在光伏应用中沉积微晶材料的方法和设备在审

专利信息
申请号: 201610101963.X 申请日: 2011-04-14
公开(公告)号: CN105887040A 公开(公告)日: 2016-08-24
发明(设计)人: M.克林德沃特;M.库皮希 申请(专利权)人: 瑞士艾发科技
主分类号: C23C16/24 分类号: C23C16/24;C23C16/455
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 陈岚
地址: 瑞士特*** 国省代码: 瑞士;CH
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请涉及用于在光伏应用中沉积微晶材料的方法和设备。提供了一种用于生产光伏电池的沉积方法和系统。该方法包括在半导体材料沉积的至少一部分期间在反应室内保持负压。将第一和第二电极分离的距离D用mm来表示,并且大于或等于约10mm但小于或等于约30mm。在半导体材料沉积的至少一部分期间建立按体积计至少百分之五十(50%)的工艺气体中的含半导体气体的浓度。
搜索关键词: 用于 应用 沉积 材料 方法 设备
【主权项】:
一种用于在衬底上沉积半导体材料的沉积系统,所述沉积系统包括:沉积室,其包围其中半导体材料将被沉积到衬底上以在衬底上形成半导体材料的微晶层的反应空间;衬底支撑体,其在反应空间中支撑所述衬底;第一和第二电极,其彼此相对并以距离D分离,所述第一和第二电极被操作连接至将被激励以便将等离子体点燃并在沉积的至少一部分期间保持反应空间中的等离子体的电源;真空子系统,其至少部分地抽空所述沉积室;输送子系统,其向所述反应空间引入工艺气体,所述工艺气体包括:来自半导体源的含半导体气体和来自稀释源的稀释剂;以及控制器,其被编程为控制真空子系统和输送子系统中的至少一个的操作以:在小于或等于下式的压力下在半导体材料沉积的至少一部分期间保持负压:其中,将所述第一和第二电极分离的距离D用mm来表示,以及所述距离D大于或等于10mm且小于或等于30mm,并且在半导体材料沉积的至少一部分期间建立工艺气体中的按体积计至少百分之五十(50%)的含半导体气体的浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞士艾发科技,未经瑞士艾发科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610101963.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top