[发明专利]用于在光伏应用中沉积微晶材料的方法和设备在审
申请号: | 201610101963.X | 申请日: | 2011-04-14 |
公开(公告)号: | CN105887040A | 公开(公告)日: | 2016-08-24 |
发明(设计)人: | M.克林德沃特;M.库皮希 | 申请(专利权)人: | 瑞士艾发科技 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C23C16/455 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陈岚 |
地址: | 瑞士特*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | 本申请涉及用于在光伏应用中沉积微晶材料的方法和设备。提供了一种用于生产光伏电池的沉积方法和系统。该方法包括在半导体材料沉积的至少一部分期间在反应室内保持负压。将第一和第二电极分离的距离D用mm来表示,并且大于或等于约10mm但小于或等于约30mm。在半导体材料沉积的至少一部分期间建立按体积计至少百分之五十(50%)的工艺气体中的含半导体气体的浓度。 | ||
搜索关键词: | 用于 应用 沉积 材料 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种用于在衬底上沉积半导体材料的沉积系统,所述沉积系统包括:沉积室,其包围其中半导体材料将被沉积到衬底上以在衬底上形成半导体材料的微晶层的反应空间;衬底支撑体,其在反应空间中支撑所述衬底;第一和第二电极,其彼此相对并以距离D分离,所述第一和第二电极被操作连接至将被激励以便将等离子体点燃并在沉积的至少一部分期间保持反应空间中的等离子体的电源;真空子系统,其至少部分地抽空所述沉积室;输送子系统,其向所述反应空间引入工艺气体,所述工艺气体包括:来自半导体源的含半导体气体和来自稀释源的稀释剂;以及控制器,其被编程为控制真空子系统和输送子系统中的至少一个的操作以:在小于或等于下式的压力下在半导体材料沉积的至少一部分期间保持负压:其中,将所述第一和第二电极分离的距离D用mm来表示,以及所述距离D大于或等于10mm且小于或等于30mm,并且在半导体材料沉积的至少一部分期间建立工艺气体中的按体积计至少百分之五十(50%)的含半导体气体的浓度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的