[发明专利]一种有机半导体材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610101976.7 申请日: 2013-01-31
公开(公告)号: CN105646852B 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 南安市鑫灿品牌运营有限公司
主分类号: C08G61/12 分类号: C08G61/12;H01L51/54
代理公司: 深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙)44324 代理人: 邓扬
地址: 362300 福建省泉州*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供了一种有机半导体材料,所述有机半导体材料的化学式如下所示其中,R为C1~C20的烷基,n为10~100的整数,本发明提供有机半导体材料同时具有空穴传输性质和电子传输性质,使在发光层中空穴和电子的传输平衡,还具有较高的三线态能级,三线态能级大于2.78eV,有效的防止发光过程中能量回传给主体材料,大大提高发光效率。该有机半导体材料采用了较简单的合成路线,减少了工艺流程,原材料价廉易得,制造成本得到降低。
搜索关键词: 一种 有机 半导体材料 制备 方法
【主权项】:
一种有机半导体材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供化合物A:和化合物B:其中,R为C1~C20的烷基;在惰性气氛下,将化合物A与化合物B按照摩尔比为1:1~1:1.2添加入含有催化剂和碱溶液的有机溶剂中,在70~130℃下进行Suzuki耦合反应12~96小时,所述催化剂为有机钯或为有机钯与有机磷配体的混合物,得到如下结构式表示的有机半导体材料P:其中,n为10~100的整数;所述碱溶液选自碳酸钠溶液、碳酸钾溶液及碳酸氢钠溶液中的至少一种,所述碱溶液中的溶质与化合物A的摩尔比为20:1~50:1。
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