[发明专利]横向薄膜变阻器及其低温制造方法

摘要

本发明涉及横向薄膜变阻器的低温制造。一种使用不损害与被制造的变阻器邻接的IC设备组件的低温溅射技术来制造横向配置的薄膜变阻器电涌防护设备的结构和方法。横向薄膜变阻器可以由使用低温溅射工艺随后通过低温退火工艺而在两个横向隔开的电极之间形成的连续层组成，所述连续层包括第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的交替区域。

主权项

1.一种形成横向薄膜变阻器的方法，所述方法包括：使用低温溅射工艺来沉积，沉积温度保持在低于400℃，随后通过低温退火工艺，在两个横向隔开的电极之间形成连续层，所述连续层包括第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的交替区域，其中所述低温退火工艺包括以下之一：(1)将第一金属氧化物层和第二金属氧化物层加热到不超过350℃的温度；(2)将第二金属氧化物层加热到不超过350℃的温度；(3)将所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层加热到不超过在低温溅射工艺期间所达到的最高温度的温度。