[发明专利]平均磨损方法、内存控制电路单元及内存储存装置

摘要

本发明提供一种平均磨损方法、内存控制电路单元及内存储存装置。此方法包括根据抹除次数从无存有有效数据的实体抹除单元中选取第一实体抹除单元，并且从存有有效数据的实体抹除单元中选取有效数据量小于一个实体抹除单元的容量的第二实体抹除单元。此方法也包括根据抹除次数从存有有效数据的实体抹除单元中选取有效数据量小于一个实体抹除单元的容量的第三实体抹除单元。此方法还包括将第二实体抹除单元的有效数据与第三实体抹除单元的至少部分有效数据写入第一实体抹除单元。本发明可以有效地避免因执行垃圾收集而影响连续写入的速度。

主权项

一种平均磨损方法，用于一可复写式非易失性内存模块，其特征在于，所述可复写式非易失性内存模块具有多个实体抹除单元，每一个实体抹除单元具有相同的一容量，所述平均磨损方法包括：将所述多个实体抹除单元区分为一第一群组与一第二群组，其中所述第一群组的实体抹除单元无存有有效数据，并且所述第二群组的实体抹除单元储存有有效数据；为每一个实体抹除单元记录一抹除次数，并且根据所记录的抹除次数排列所述第二群组的实体抹除单元；根据所记录的抹除次数从所述第一群组的实体抹除单元中提取一实体抹除单元作为一第一实体抹除单元；根据所述第二群组的实体抹除单元的一排列顺序从所述第二群组的实体抹除单元中选取一实体抹除单元作为一第二实体抹除单元，其中所述第二实体抹除单元的有效数据量小于所述容量；根据所述第二群组的实体抹除单元的所述排列顺序从所述第二群组的实体抹除单元中仅选取有效数据量小于所述容量的另一实体抹除单元作为一第三实体抹除单元；以及将所述第二实体抹除单元的有效数据及所述第三实体抹除单元的至少部分有效数据程序化至所述第一实体抹除单元。