[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610104130.9 | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN105932052B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 长谷川一也;冈彻;田中成明 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L21/283;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。该半导体装置具备：半导体层，其具有具有上表面和侧面的呈台地状的台面结构、以及在台面结构的周围扩展的周围面；肖特基电极，其与上表面肖特基接合；绝缘膜，其从周围面通过侧面遍及肖特基电极上而形成，在肖特基电极上具有开口部；布线电极，其在开口部的内侧与肖特基电极电连接，从开口部的内侧通过绝缘膜的部位中的形成于侧面的部位上，遍及绝缘膜的部位中的形成于周围面的部分上形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体层，其具有台面结构以及在所述台面结构的周围扩展的周围面，所述台面结构具有上表面和侧面且呈台地状；肖特基电极，其与所述上表面形成肖特基接合；绝缘膜，其从所述周围面经过所述侧面遍及在所述肖特基电极上而形成，在所述肖特基电极上具有开口部；布线电极，其在所述开口部的内侧与所述肖特基电极电连接，从所述开口部的内侧经过所述绝缘膜的部位中的形成于所述侧面的部位上且遍及所述绝缘膜的部位中的形成于所述周围面的部分上地形成，所述肖特基电极包括形成于所述上表面的第一电极层以及形成在所述第一电极层上的第二电极层，所述第二电极层的端部位于比所述第一电极层的端部靠近内侧，所述第一电极层的端部与所述第二电极层的端部之间的距离在所述第一电极层的端部与所述上表面的端部之间的距离以上。
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