[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201610104400.6 | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN105845787A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 黄泓文;夏兴国;邱清华 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王芝艳;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件的制造方法，包括：提供一基板；形成一半导体叠层结构于该基板上，该半导体叠层结构包括有源层；研磨该基板的一背面，以移除该基板的一部；以及通过蚀刻以移除该基板的一剩余部。本发明可改善制造工艺，制作出高效率与机械上耐用的半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，包括：提供一基板；形成一半导体叠层结构于该基板上，该半导体叠层结构包括有源层；研磨该基板的一背面，以移除该基板的一部；以及通过蚀刻以移除该基板的一剩余部。
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