[发明专利]CMOS驱动器晶圆级封装及其制作方法

摘要

本发明公开了一种CMOS驱动器晶圆级封装及其制作方法，涉及在基片内或其上制造或处理的装置或系统技术领域。所述封装包括驱动器晶圆片，所述晶圆片的上表面部分区域形成有驱动器晶圆片焊盘，所述焊盘区域以外的晶圆片的上表面上形成有钝化层，所述钝化层的上表面形成有第一树脂层；部分所述第一树脂层的上表面形成有再布线层；所述再布线层的上表面以及没有覆盖再布线层的第一树脂层的上表面形成有第二树脂层；部分所述第二树脂层的上表面形成有直接下金属层；所述直接下金属层的上表面形成有金属凸点。所述方法与传统的半导体工艺相兼容，适合批量化生产，有效地缩小了驱动器芯片封装尺寸，减小了寄生效应，提高了驱动器芯片的性能。

主权项

一种CMOS驱动器晶圆级封装，其特征在于：包括驱动器晶圆片（1），所述晶圆片的上表面部分区域形成有驱动器晶圆片焊盘（2），所述焊盘区域以外的晶圆片的上表面上形成有钝化层（3），所述钝化层（3）的上表面形成有第一树脂层（4），且第一树脂层（4）的内部边缘延伸至所述焊盘的上表面，使得所述焊盘的上表面的部分被所述第一树脂层（4）覆盖，其余部分裸露出；部分所述第一树脂层（4）的上表面形成有再布线层（5），部分所述再布线层（5）与所述焊盘上表面的裸露部分直接接触；所述再布线层（5）的上表面以及没有覆盖再布线层（5）的第一树脂层（4）的上表面形成有第二树脂层（6）；所述第二树脂层（6）上设有过孔，所述过孔使得部分所述再布线层（5）裸露出；部分所述第二树脂层（6）的上表面形成有直接下金属层（7），部分所述直接下金属层（7）与所述再布线层（5）的裸露部分直接接触；所述过孔上侧的直接下金属层（7）的上表面形成有金属凸点（8）。