[发明专利]p-型太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201610105104.8 | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN106684181A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | K·W·布尔 | 申请（专利权）人： | K·W·布尔 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/073;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙)11386 | 代理人： | 龚颐雯;马东伟 |
| 地址： | 美国佛罗*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有层叠结构(10)的p‑型太阳能电池，其中该层叠结构包括背电极(14)、置于背电极(14)上的p‑型半导体吸收层(11)、置于吸收层(11)上的结晶硫化镉层(12)、置于所述层叠结构(10)上与背电极(14)相对的另一侧的前电极(15)。本发明还提供了一种p‑型太阳能电池的制备方法，包括：提供p‑型光敏半导体吸收层(11)；刻蚀吸收层(11)的表面减少结晶的不均匀性和针孔；在吸收层(11)上沉积层厚范围为的硫化镉层(12)；至少对硫化镉层(12)进行加热以使硫化镉层重结晶；以及，在刻蚀后或施加硫化镉层(12)后，选择性地将不同于硫化镉层的含铜层置于吸收层(11)上。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有层叠结构(10)的p‑型太阳能电池，其中所述层叠结构(10)包括：背电极(14)，置于所述背电极(14)上的p‑型半导体吸收层(11)，置于所述吸收层(11)上的结晶n‑型连接体层(12)，置于所述层叠结构(10)上与所述背电极(14)相对的另一侧的前电极(15)，其特征在于，所述n‑型层(12)包含掺杂物，且层厚范围为
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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