[发明专利]改善HCD氮化硅片均匀性的方法在审
| 申请号： | 201610107296.6 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105609411A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 肖天金;康俊龙;邱裕明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善HCD氮化硅片均匀性的方法，其形成HCD氮化硅片的各步骤包括：在反应腔室中通入氨气、继续通入氨气、通入HCD、成膜、再次通入氨气、排出残留气体以及通入氮气；通过在成膜时逐渐降低反应腔室的温度，以此来降低产品边缘部分的成膜速率，降低产品中心与边缘的厚度差异，从而改善产品上的Spacer2 HCD氮化硅片的均匀性，最终达到改善器件的饱和驱动电流均匀性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 hcd 氮化 硅片 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种改善HCD氮化硅片均匀性的方法，其形成HCD氮化硅片的各步骤包括：在反应腔室中通入氨气、继续通入氨气、通入HCD、成膜、再次通入氨气、排出残留气体以及通入氮气，其特征在于，在成膜时所述反应腔室的温度逐渐降低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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