[发明专利]多晶硅制备之立式炉管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610107390.1 申请日: 2016-02-26
公开(公告)号: CN105543955A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 江润峰;孙天拓;陆叶涛 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: C30B28/14 分类号: C30B28/14;C30B29/06
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种多晶硅制备之立式炉管,包括:壳体,内设立式炉管的各功能部件;外石英管和内石英管,外石英管和内石英管之间形成气体通路;具有硅片的晶舟,晶舟上设置硅片,晶舟并承载在位于壳体内之底部的基座上;间隔独立设置的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路,第一进气管路、第二进气管路,第三进气管路之出气口分别位于晶舟的不同高度处;排气管路,设置在壳体一侧之底部。本发明通过设置独立且位于不同高度处的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路,并采用外石英管和内石英管的双管特定结构,不仅结构简单、工艺调整方便,而且极大的保证了工艺效率和提升了产品良率。
搜索关键词: 多晶 制备 立式 炉管 及其 方法
【主权项】:
一种多晶硅制备之立式炉管,其特征在于,所述多晶硅制备之立式炉管,包括:壳体,内设多晶硅制备之立式炉管的各功能部件;外石英管和内石英管,所述外石英管和所述内石英管之间形成气体通路;具有硅片的晶舟,所述晶舟上设置硅片,所述晶舟并承载在位于所述壳体内之底部的基座上;间隔独立设置的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路,所述第一进气管路、所述第二进气管路,以及所述第三进气管路之出气口分别位于所述晶舟的不同高度处;排气管路,设置在所述壳体之异于所述第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路的一侧之底部。
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