[发明专利]镍金属硅化物的制备方法在审
申请号: | 201610107726.4 | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN105575790A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 肖天金;邱裕明 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/285 | 分类号: | H01L21/285 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种镍金属硅化物的制备方法,包括:对暴露的硅衬底表面进行预清洗,除去自然氧化物,在其上沉积镍或镍合金;通入含有氢气的气体进行第一次退火,使镍或镍合金的至少一部分与硅反应;移除未反应的镍或镍合金;进行第二次退火,形成镍金属硅化物;通过在第一次退火中通入含有氢气的气体,能消除反应氛围中微量的氧气,防止镍或镍合金以及镍金属硅化物被氧化,可以降低镍金属硅化物的缺陷,形成形貌和均匀性良好的镍金属硅化物;并且氢气能够修复和减少镍金属硅化物和硅衬底界面处的缺陷,从而改善界面态,提高镍金属硅化物的品质,降低了源极/漏极区及栅极区的接触电阻和串联电阻,提高了器件的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 金属硅 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种镍金属硅化物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:对暴露的硅衬底表面进行预清洗,除去自然氧化物,在其上沉积镍或镍合金;S2:向工艺腔体中通入含有氢气的气体,去除工艺腔体中的氧气,接着使用氮气净化工艺腔体中残留的含有氢气的气体,然后在沉积镍或镍合金的硅衬底进入工艺腔体之后,通入含有氢气的气体进行第一次退火,使镍或镍合金的至少一部分与硅反应,形成镍金属硅化物的混合物;S3:移除未反应的镍或镍合金;S4:进行第二次退火,使所述镍金属硅化物的混合物转化为镍金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造