[发明专利]超级结功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610107822.9 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN107134492B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 刘磊;龚轶;袁愿林;刘伟 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11369 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的公开了一种超级结功率器件包括：第一掺杂类型的衬底外延层，其内设置有第一掺杂类型的漏区和若干个侧壁倾斜的第二掺杂类型的柱状外延掺杂区；第二掺杂类型的体区，其设置在每个所述柱状外延掺杂区的顶端，所述体区内设有第一掺杂类型的源区；JFET区，其位于每两个相邻的所述体区之间，所述体区和JFET区之上设有栅氧化层，所述栅氧化层之上设有栅极；其中，所述柱状外延掺杂区的侧壁两侧及底部的衬底外延层内设有第二掺杂类型的补偿注入区。本发明的超级结功率器件能够在保持导通电阻基本不变的条件下提高击穿电压，并改善其反向恢复特性，而且制造工艺简单，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超级结功率器件，其特征在于，包括：/n第一掺杂类型的衬底外延层，其内设置有第一掺杂类型的漏区和若干个侧壁倾斜的第二掺杂类型的柱状外延掺杂区；/n第二掺杂类型的体区，其设置在每个所述柱状外延掺杂区的顶端，所述体区内设有第一掺杂类型的源区；/nJFET区，其位于每两个相邻的所述体区之间，所述体区和JFET区之上设有栅氧化层，所述栅氧化层之上设有栅极；/n其中，所述柱状外延掺杂区的侧壁两侧及底部的衬底外延层内设有第二掺杂类型的补偿注入区；/n所述补偿注入区的掺杂浓度不高于所述柱状外延掺杂区的掺杂浓度。/n
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