[发明专利]三维集成电路切割方法以及三维集成电路结构

摘要

本发明提供了一种三维集成电路切割方法以及三维集成电路结构。根据本发明的三维集成电路切割方法包括：在第一硅片中形成所需的第一半导体器件和位于划片道的第一凹槽；在第一硅片的有器件的一面上生长二氧化硅层；将第一硅片的有器件的一面与第二硅片进行硅硅键合；将键合硅片的上表面和下表面减薄至一定的厚度；在上述键合及减薄后的第二硅片上形成所需的第二半导体器件和位于划片道的第二凹槽；在第三硅片上形成所需的第三半导体器件；将上述第二硅片包含第二半导体器件的一面与第三硅片包含半导体器件的一面进行键合，并形成最终的三维结构。

主权项

一种三维集成电路切割方法，其特征在于包括：第一步骤：在第一硅片中形成所需的第一半导体器件和位于划片道的第一凹槽；第二步骤：在第一硅片的有器件的一面上生长二氧化硅层；第三步骤：将第一硅片的有器件的一面与第二硅片进行硅硅键合；第四步骤：减薄第二硅片的与第一硅片相对的一面，并且减薄第一硅片的与第二硅片相对的一面；第五步骤：在第二硅片上形成所需的第二半导体器件和位于划片道的第二凹槽；第六步骤：在第三硅片上形成所需的第三半导体器件；第七步骤：将第二硅片包含第二半导体器件的一面与第三硅片包含半导体器件的一面进行键合，并形成最终的三维结构。