[发明专利]磁传感器及磁性编码器在审
申请号: | 201610108432.3 | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN106019182A | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 上田国博;沟口义之;山崎宽史;渡边克 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种磁传感器及磁性编码器,具有被要求各不相同的响应特性的两种磁阻效应元件,能够一同提高各磁阻效应元件所要求的不同的响应特性。磁传感器1具备可检测外部磁场的第一及第二磁阻效应元件(31,41),第一及第二磁阻效应元件分别至少包含磁化方向随着外部磁场而变化的磁化方向变化层(315,415),第一磁阻效应元件的磁化方向变化层的初始磁化方向上的磁化方向变化层(315)的宽度W1、和第二磁阻效应元件的磁化方向变化层的初始磁化方向上的磁化方向变化层(415)的宽度W2具有下式(1)的关系,第一磁阻效应元件相对于外部磁场的灵敏度比第二磁阻效应元件相对于外部磁场的灵敏度高。W1>W2…(1)。 | ||
搜索关键词: | 传感器 磁性 编码器 | ||
【主权项】:
一种磁传感器,其特征在于,至少具备可检测外部磁场的第一磁阻效应元件及第二磁阻效应元件,所述第一磁阻效应元件及所述第二磁阻效应元件分别至少包含磁化方向随着所述外部磁场而变化的磁化方向变化层,所述第一磁阻效应元件的所述磁化方向变化层的初始磁化方向上的所述磁化方向变化层的宽度W1和所述第二磁阻效应元件的所述磁化方向变化层的初始磁化方向上的所述磁化方向变化层的宽度W2具有下述式(1)所示的关系,W1>W2…(1)所述第一磁阻效应元件相对于所述外部磁场的灵敏度比所述第二磁阻效应元件相对于所述外部磁场的灵敏度高。
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