[发明专利]氮化镓基微纳米锥结构发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610108576.9 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105720157A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 熊卓;魏同波;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基微纳米锥结构发光二极管，包括衬底和衬底上的外延层，所述外延层包括n型氮化镓层，其中所述n型氮化镓层上包括绝缘介质层，所述绝缘介质层上具有刻蚀至所述n型氮化镓层的多个微纳米孔；在所述的微纳米孔中生长有外延至绝缘介质层之上的多个n型氮化镓微纳米锥，在所述微纳米锥的锥面上设置有多量子阱层。以及一种该发光二极管的制备方法。通过该制备方法得到一种氮化镓基微纳米锥结构发光二极管，这种结构既可实现长波长发光二极管，也可以用于无荧光粉单芯片白光等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基微 纳米 结构 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基微纳米锥结构发光二极管，包括衬底和衬底上的外延层，所述外延层包括n型氮化镓层，其特征在于，所述n型氮化镓层上包括绝缘介质层，所述绝缘介质层上具有刻蚀至所述n型氮化镓层的多个微纳米孔；在所述的微纳米孔中生长有外延至绝缘介质层之上的n型氮化镓微纳米锥，在所述微纳米锥的锥面上设置有多量子阱层。
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