[发明专利]三层约瑟夫森结结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种三层约瑟夫森结结构及其形成方法。电介质层在基底电极层上，基底电极层在基板上。对置电极层在所述电介质层上。第一和第二对置电极由对置电极层形成。第一和第二电介质层由电介质层形成。第一和第二基底电极由基底电极层形成。所述第一对置电极、第一电介质层和第一基底电极形成第一堆叠。所述第二对置电极、第二电介质层和第二基底电极形成第二堆叠。分流电容器在第一和第二基底电极之间。ILD层沉积在基板、第一和第二对置电极以及所述第一和第二基底电极上。接触桥连接所述第一和第二对置电极。通过移除ILD，空气间隙形成于所述接触桥下方。

主权项

1.一种三层约瑟夫森结结构的形成方法，所述方法包括：在基底电极层上沉积电介质层，其中所述基底电极层沉积在基板上；在所述电介质层上沉积对置电极层；由所述对置电极层形成第一对置电极和第二对置电极；由所述电介质层形成第一电介质层和第二电介质层；由所述基底电极层形成第一基底电极和第二基底电极，其中所述第一对置电极、所述第一电介质层和所述第一基底电极形成第一堆叠，其中所述第二对置电极、所述第二电介质层和所述第二基底电极形成第二堆叠，并且其中在所述第一基底电极和所述第二基底电极之间形成分流电容器；在所述第一对置电极和第二对置电极、所述第一基底电极和第二基底电极、以及所述基板的顶表面上共形地沉积层间电介质层；在平坦化所述层间电介质层以露出所述第一对置电极和所述第二对置电极的顶部之后，形成连接所述第一对置电极和所述第二对置电极的接触桥；以及通过移除所述层间电介质层，在所述接触桥下方形成空气间隙，其中所述空气间隙包括所述第一对置电极和所述第二对置电极之间的空间以使金属材料不存在于所述第一对置电极和所述第二对置电极之间的所述空间，其中所述空气间隙在所述第一对置电极和所述第二对置电极之间的距离大于在所述第一基底电极和第二基底电极之间的距离。