[发明专利]一种黑硅太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 201610108899.8 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN105742406A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 杨健;沈波涛;党继东 | 申请（专利权）人： | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 224431 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种黑硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)将待处理的硅片表面进行抛光处理；(2)在硅片的抛光面上形成掺杂结；(3)利用HF溶液进行回刻，在硅片表面去除死层的同时形成黑硅结构；(4)清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触，即可得到黑硅太阳能电池。本发明在硅片表面去除死层的同时形成黑硅结构，不仅降低了表面复合，而且有效地提高了太阳能电池的转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将待处理的硅片表面进行抛光处理；(2)在硅片的抛光面上形成掺杂结；结深为600～700nm；(3)利用金属离子催化刻蚀技术进行回刻，在去除死层的同时形成黑硅结构；(4)清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触，即可得到黑硅太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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