[发明专利]一种单晶硅的制作方法在审
| 申请号： | 201610108941.6 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105648527A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 尚锐刚 | 申请（专利权）人： | 北京天能运通晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B13/00;C30B28/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种单晶硅的制作方法，包括：选取区熔单晶硅的头尾料和剩余原料，并粉碎成块状料；将所述块状料进行酸腐蚀、清洗和烘干；利用直拉法将所述块状料拉制成多晶棒；将所述多晶棒进行加工和清洗；利用区熔法将所述多晶棒拉制成区熔单晶硅。本申请提供的上述单晶硅的制作方法，能够充分的利用头尾料和剩余原料生产出合格的区熔单晶产品，从而能够降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 制作方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅的制作方法，其特征在于，包括：选取区熔单晶硅的头尾料和剩余原料，并粉碎成块状料；将所述块状料进行酸腐蚀、清洗和烘干；利用直拉法将所述块状料拉制成多晶棒；将所述多晶棒进行加工和清洗；利用区熔法将所述多晶棒拉制成区熔单晶硅。
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