[发明专利]一种低温下制备铜纳米线方法

摘要

本发明的一种低温下制备铜纳米线的方法，属于金属纳米材料合成的技术领域。制备过程包括配置前驱物氯化铜溶液，低温搅拌，加入缓冲试剂提升pH值，加入抗坏血酸，加入十六烷基三甲基氯化铵，恒温30度反应。在制备过程中抗坏血酸不仅作为还原2价铜的还原剂且对中间产物具有一定刻蚀；十六烷基三甲基氯化铵通过对中间产物表面的吸附，改变纳米铜的生长速度与刻蚀速度，最终得到铜纳米线。本发明所提供的方法操作简单、绿色环保、生产成本低。所制备的铜纳线具有良好的抗氧化性可在空气中存储，且“表面清洁”，有望应用于电子器件的制备。

主权项

一种低温下制备铜纳米线的方法，有以下步骤：(1)以去离子水为溶剂，氯化铜为溶质，配置浓度为8‑10毫摩尔/升的前驱物溶液，搅拌至均匀；(2)添加碳酸氢钠以提高溶液的pH值，搅拌10分钟得到深蓝色混合液1，其中，每毫升前驱物溶液添加40毫克碳酸氢钠；(3)将混合液1在10℃以下的环境搅拌，将1摩尔/升的抗坏血酸加到混合液1中，快速搅拌15分钟，得到混合液2，所加的抗坏血酸与原有混合液1体积比为1:3；(4)将表面活性剂十六烷基三甲基氯化铵加入到混合液2中，搅拌至均匀后继续搅拌8‑10小时，得到混合液3，其中，每毫升混合液2使用50毫克十六烷基三甲基氯化铵；(5)将混合液3置于30度恒温水浴，搅拌反应8‑10小时；(6)将步骤(5)所得产物分别用去离子水和乙醇清洗一次，并烘干，得到具有抗氧化性的铜纳米线。