[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有寿命控制层并且批量生产时IGBT的导通电压不易产生偏差的半导体装置。本发明为具有具备IGBT区域的半导体基板的半导体装置。IGBT区域具有发射区、体区、漂移区、集电区。在体区中以隔着栅绝缘膜而对置的方式配置有栅电极。在漂移区内、且与半导体基板的厚度方向的中间部相比靠背面侧的范围内，形成有以层状分布的第一寿命控制层。第一寿命控制层内的结晶缺陷密度与相对于第一寿命控制层而在背面侧邻接的区域内的结晶缺陷密度、以及相对于第一寿命控制层而在表面侧邻接的区域内的结晶缺陷密度中的任何一方相比而较高。第一寿命控制层和背面之间的区域内的结晶缺陷密度与第一寿命控制层和表面之间的区域内的结晶缺陷密度相比而较低。

主权项

一种半导体装置，其中，所述半导体装置具有半导体基板，所述半导体基板具备绝缘栅双极性晶体管区域，所述绝缘栅双极性晶体管区域具有：发射区，其为n型，并在所述半导体基板的表面上露出；体区，其为p型，并与所述发射区相接；漂移区，其为n型，并被配置在所述体区的背面侧，且通过所述体区而与所述发射区分离；集电区，其为p型，并被配置在所述漂移区的背面侧，且通过所述漂移区而与所述体区分离，并且在所述半导体基板的背面上露出，在所述半导体装置中配置有栅电极，所述栅电极以隔着栅绝缘膜而与将所述发射区和所述漂移区分离的范围内的所述体区对置的方式配置，在所述漂移区内、且与所述半导体基板的厚度方向的中间部相比靠背面侧的范围内，形成有沿着所述半导体基板的平面方向而以层状分布的第一寿命控制层，所述第一寿命控制层内的结晶缺陷密度与相对于所述第一寿命控制层而在背面侧邻接的区域内的结晶缺陷密度、以及相对于所述第一寿命控制层而在表面侧邻接的区域内的结晶缺陷密度中的任意一方相比而较高，所述第一寿命控制层和所述背面之间的区域内的结晶缺陷密度与所述第一寿命控制层和所述表面之间的区域内的结晶缺陷密度相比而较低。