[发明专利]包括开关模式调节器的封装的集成电路及其形成方法有效
申请号: | 201610109675.9 | 申请日: | 2016-02-26 |
公开(公告)号: | CN105932001B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 林德华;A·W·洛特菲;黄忠杰;J·维尔德 | 申请(专利权)人: | 阿尔特拉公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/498;H01L25/00;H01L23/00;H02M1/44;H02M3/155 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;潘聪 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种封装的集成电路及其形成方法。该封装的集成电路包括形成在固定到多层衬底的表面的半导体管芯上的集成电路、以及形成在固定到多层衬底的表面的半导体管芯(或另一半导体管芯)上的开关模式调节器。集成电路和开关模式调节器被集成在封装内以形成封装的集成电路。 | ||
搜索关键词: | 包括 开关 模式 调节器 封装 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种封装的集成电路,包括:多层衬底;集成电路,被形成在固定到所述多层衬底的表面的第一半导体管芯上;以及开关模式调节器,被形成在固定到所述多层衬底的所述表面的第二半导体管芯上,其中所述开关模式调节器包括电感器,并且其中所述电感器被定向为使得由所述电感器产生的磁场的局部磁场线基本上与在所述电感器的电磁干涉距离内布线的所述多层衬底的电路迹线的一部分平行,其中所述电路迹线的所述部分被配置为在所述电磁干涉距离内与所述局部磁场线的定向基本上平行地被布线,并且其中所述开关模式调节器的输出通过所述电路迹线电性耦合到所述集成电路的电路元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿尔特拉公司,未经阿尔特拉公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610109675.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:水平磁场结构的电感结构
- 下一篇:阵列基板及其制作方法、显示装置