[发明专利]全局曝光像素单元、电容结构及制备方法

摘要

本发明提供了一种全局曝光像素单元、电容结构及制备方法，通过在纵向上形成第一电容结构、第二电容结构和第三电容结构，将这三个电容结构采用并联的方式连接在一起，从而在不增加全局曝光像素单元的电容结构的面积的基础上，增加了电容结构的存储电容值，降低了读出噪声，同时，不影响整个全局曝光像素单元的光电二极管感光区域的面积，提高了器件的性能。

主权项

1.一种全局曝光像素单元的电容结构，包括：硅衬底，位于硅衬底上的下极板，下极板上依次有第一电容介质和上极板，在上极板两侧的下极板部分表面设置有源漏区，在所述上极板上设置有层间介质，在上极板上通过第一接触孔连接上极板引出极，在源漏区上通过第二接触孔连接下极板引出极，其特征在于，在所述上极板表面设置有第二电容介质；在所述第二接触孔之间且在所述第一接触孔两侧的所述第二电容介质上分别设置有若干第三接触沟槽；所述下极板引出极同时连接所述第二接触孔和所述第三接触沟槽；所述第三接触沟槽均连接在所述下极板引出极和所述第二电容介质之间；其中，所述上极板、所述第一电容介质和所述下极板之间构成第一电容结构，所述第一电容结构通过所述第一接触孔与所述上极板引出极相连，通过所述第二接触孔与所述下极板引出极相连；所述第三接触沟槽的底部、所述第二电容介质和所述上极板的上表面之间构成第二电容结构，所述第二电容结构通过所述第一接触孔与所述上极板引出极相连，通过所述第三接触沟槽与所述下极板引出极相连；所述第三接触沟槽侧壁、部分所述层间介质和所述第一接触孔的侧壁之间构成第三电容结构，所述第三电容结构通过所述第一接触孔与所述上极板引出极相连，通过所述第三接触沟槽与所述下极板引出极相连；所述第三接触沟槽的宽度大于所述第一接触孔的宽度，且大于所述第二接触孔的宽度；所述第三电容结构中，所述第一接触孔的侧壁与所述第三接触沟槽的侧壁之间的宽度小于所述第二接触孔侧壁与相邻的所述第三接触沟槽的侧壁之间的宽度。