[发明专利]一种多晶硅制备方法在审
| 申请号： | 201610109836.4 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105529249A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 江润峰;孙勤 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅制备方法，通过在进行多晶硅沉积工艺时，向反应腔体中通入少量N2O作为掺杂气体，使N2O和作为工艺气体的SiH4反应产生SiO2，对多晶硅进行掺杂，而过量部分的SiH4会继续分解生成多晶硅；SiO2的存在抑制了沉积多晶硅过程中的晶粒异常生长，因此可降低多晶硅晶粒尺寸的大小、提高晶粒均匀度、改善表面平整度，从而消除了多晶硅颗粒产生的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，将所述衬底放入反应腔体中，通入过量的SiH4作为工艺气体，在所述衬底上沉积形成多晶硅；其中，在沉积过程中，还通入少量的N2O作为掺杂气体，利用N2O与过量部分的SiH4反应生成的SiO2，对多晶硅进行掺杂，以抑制多晶硅晶粒的异常生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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