[发明专利]一种抗电磁干扰的插座装置组合在审
申请号: | 201610111332.6 | 申请日: | 2016-02-29 |
公开(公告)号: | CN105552624A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 邱炎新 | 申请(专利权)人: | 邱炎新 |
主分类号: | H01R13/46 | 分类号: | H01R13/46;H01R13/6581;H01R13/6598 |
代理公司: | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人: | 秦燕 |
地址: | 315202 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种抗电磁干扰的插座装置组合,该插座装置组合的外面罩有电磁屏蔽的罩体,该罩体为三明治结构,具体为两层坡莫合金板中间夹一层泡沫铝-铜-镍合金,其可以实现对低频段和高频段的电磁波良好的屏蔽作用,同时防止了插座装置组合的电磁辐射对环境造成污染,又减少了外界电磁波对插座装置组合的干扰;进一步地,该罩体的坡莫合金板表面经过盐酸处理形成纳米片的超疏水结构,起到了自清洁、防雾、防冰冻和抗腐蚀的保护作用,能够延长插座装置组合的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 电磁 干扰 插座 装置 组合 | ||
【主权项】:
一种抗电磁干扰的插座装置组合,其特征在于,所述插座装置组合的外面罩有电磁屏蔽的罩体,该罩体为三明治结构,具体为两层坡莫合金板中间夹一层泡沫铝‑铜‑镍合金;所述坡莫合金板的厚度为0.5mm,该坡莫合金板表面由纳米片结构覆盖;该坡莫合金板中Ni和Fe的比例为2:3,并且加入质量分数分别为0.5%和1%的Mo、Si元素;所述泡沫铝‑铜‑镍合金的厚度为3mm,该泡沫铝‑铜‑镍合金中镍的含量为5%~40%;所述纳米片结构为所述坡莫合金板经盐酸和低表面能十七氟癸脂三甲基色氨酸硅烷修饰得到。
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