[发明专利]AlGaN渐变组分超晶格雪崩光电二极管有效
| 申请号： | 201610112141.1 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105742387B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 汪莱;郑纪元;张静昌;郝智彪;罗毅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/105;H01L31/107;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 吕雁葭 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，自下至上依次包括衬底；缓冲层；n型层；i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层；第一p型层；i型光敏吸收层；以及第二p型层，其中，i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层包括沿垂直于衬底表面方向叠置的N个周期结构1041～104N，N是大于等于1的整数，每个周期结构包括一个组分渐变层，组分渐变层的最下部的材料为AlyGa1‑yN，最上部的材料为AlzGa1‑zN，其中0≤z＜y≤1，组分渐变层内任意位置的材料表示为AlcGa1‑cN，随该位置到组分渐变层下表面的垂直距离d从0增加至该组分渐变层的厚度D，c从y渐变至z。本发明还提供了该半导体结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | algan 渐变 组分 晶格 雪崩 光电二极管 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，自下至上依次包括：衬底；缓冲层；n型层；i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层；第一p型层；i型光敏吸收层；以及第二p型层，其中，i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层包括沿垂直于衬底表面方向叠置的N个周期结构(1041～104N)，N是大于等于1的整数，每个周期结构包括一个组分渐变层，组分渐变层的最下部的材料为AlyGa1‑yN，最上部的材料为AlzGa1‑zN，其中0≤z<y≤1，组分渐变层内任意位置的材料表示为AlcGa1‑cN，随该位置到组分渐变层下表面的垂直距离d从0增加至该组分渐变层的厚度D，c从y渐变至z。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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