[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201610112520.0 申请日: 2016-02-29
公开(公告)号: CN105977252B 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: 李大成;文大英;金珉修 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 尹淑梅;刘灿强
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了半导体装置,所述半导体装置包括:基底;第一晶体管,由第一输入信号的反向的电压电平门控以上拉第一节点;第二晶体管,由第二输入信号的电压电平门控以下拉第一节点;第三晶体管,由第二输入信号的反向的电压电平门控以上拉第一节点;第四晶体管,由第一输入信号的电压电平门控以下拉第一节点;第五晶体管,由第二输入信号的电压电平门控以下拉第二节点;第六晶体管,由第一输入信号的反向的电压电平门控以上拉第二节点;第七晶体管,由第一输入信号的电压电平门控以下拉第二节点;以及第八晶体管,由第二输入信号的反向的电压电平门控以上拉第二节点。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,所述半导体装置包括:基底,具有设置在穿过基底沿第一方向延伸的轴的一侧的第一区域和基底的设置在所述轴的另一侧的第二区域;第一栅极,沿垂直于第一方向的第二方向延伸穿过第一区域和第二区域,并且设置在所述半导体装置中的相对于基底的第一水平面处;第二栅极,以在第一方向上与第一栅极隔开的方式沿第二方向延伸穿过第一区域和第二区域,并且设置在所述半导体装置中的第一水平面处;第一连接件,在第一区域中将由第一栅极构成的第一晶体管的输入端子和由第二栅极构成的第四晶体管的输入端子电连接,并且设置在相对于基底高于第一水平面的第二水平面处;第二连接件,在第一区域中将由第一栅极构成的第二晶体管的输入端子和由第二栅极构成的第三晶体管的输入端子电连接,并且设置在相对于基底高于第一水平面且低于第二水平面的第三水平面处;第三连接件,设置在所述半导体装置中的第二水平面处;以及第四连接件,设置在所述半导体装置中的第三水平面处,其中,第三连接件在第二区域中将第五晶体管的输入端子和第八晶体管的输入端子电连接,而第四连接件在第二区域中将第六晶体管的输入端子和第七晶体管的输入端子电连接,或者,第三连接件在第二区域中将第六晶体管的输入端子和第七晶体管的输入端子电连接,而第四连接件在第二区域中将第五晶体管的输入端子和第八晶体管的输入端子电连接,其中,第六晶体管的输入端子由第一栅极构成,第八晶体管的输入端子由第二栅极构成,其中,第二晶体管的输入端子和第五晶体管的输入端子分别由第一栅极的一部分来构成,第四晶体管的输入端子和第七晶体管的输入端子分别由第二栅极的一部分来构成。
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