[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201610112520.0 | 申请日: | 2016-02-29 |
公开(公告)号: | CN105977252B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 李大成;文大英;金珉修 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了半导体装置,所述半导体装置包括:基底;第一晶体管,由第一输入信号的反向的电压电平门控以上拉第一节点;第二晶体管,由第二输入信号的电压电平门控以下拉第一节点;第三晶体管,由第二输入信号的反向的电压电平门控以上拉第一节点;第四晶体管,由第一输入信号的电压电平门控以下拉第一节点;第五晶体管,由第二输入信号的电压电平门控以下拉第二节点;第六晶体管,由第一输入信号的反向的电压电平门控以上拉第二节点;第七晶体管,由第一输入信号的电压电平门控以下拉第二节点;以及第八晶体管,由第二输入信号的反向的电压电平门控以上拉第二节点。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,所述半导体装置包括:基底,具有设置在穿过基底沿第一方向延伸的轴的一侧的第一区域和基底的设置在所述轴的另一侧的第二区域;第一栅极,沿垂直于第一方向的第二方向延伸穿过第一区域和第二区域,并且设置在所述半导体装置中的相对于基底的第一水平面处;第二栅极,以在第一方向上与第一栅极隔开的方式沿第二方向延伸穿过第一区域和第二区域,并且设置在所述半导体装置中的第一水平面处;第一连接件,在第一区域中将由第一栅极构成的第一晶体管的输入端子和由第二栅极构成的第四晶体管的输入端子电连接,并且设置在相对于基底高于第一水平面的第二水平面处;第二连接件,在第一区域中将由第一栅极构成的第二晶体管的输入端子和由第二栅极构成的第三晶体管的输入端子电连接,并且设置在相对于基底高于第一水平面且低于第二水平面的第三水平面处;第三连接件,设置在所述半导体装置中的第二水平面处;以及第四连接件,设置在所述半导体装置中的第三水平面处,其中,第三连接件在第二区域中将第五晶体管的输入端子和第八晶体管的输入端子电连接,而第四连接件在第二区域中将第六晶体管的输入端子和第七晶体管的输入端子电连接,或者,第三连接件在第二区域中将第六晶体管的输入端子和第七晶体管的输入端子电连接,而第四连接件在第二区域中将第五晶体管的输入端子和第八晶体管的输入端子电连接,其中,第六晶体管的输入端子由第一栅极构成,第八晶体管的输入端子由第二栅极构成,其中,第二晶体管的输入端子和第五晶体管的输入端子分别由第一栅极的一部分来构成,第四晶体管的输入端子和第七晶体管的输入端子分别由第二栅极的一部分来构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的