[发明专利]基于半导体工艺的三维虚拟形状建模方法在审
| 申请号： | 201610112874.5 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105931287A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 林兑和;姜东岏;金炫澈 | 申请（专利权）人： | 多佑惠立方株式会社 |
| 主分类号： | G06T17/00 | 分类号： | G06T17/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;孙昌浩 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于半导体工艺的虚拟形状建模方法。根据本发明的建模方法可以对如半导体或者平板显示面板制造工艺那样通过沉积以及蚀刻等工艺生成的产物进行三维虚拟形状建模。尤其，在将沉积后进行蚀刻的层形成到不平滑的先前层上的情况下，可利用二维投影方法简便地进行建模。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 半导体 工艺 三维 虚拟 形状 建模 方法 | ||
【主权项】：
一种三维虚拟形状建模方法，是通过半导体工艺制造的产物的三维虚拟形状建模方法，其特征在于，包括以下步骤：基于用于第n层的掩膜形状为基础，生成所述第n层的平面投影图，所述第n层是将要在现有第m层上层叠的层；对所述投影图与所述第m层之间进行布尔运算，以根据所述第m层的形状分割所述投影图；以及根据所述第m层的形状给所述投影图赋予弯曲，并将所述投影图扩张至所述第n层的高度，从而完成三维形状的所述第n层的虚拟形状。
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