[发明专利]切削装置和晶片的切削方法有效

专利信息
申请号: 201610112956.X 申请日: 2016-02-29
公开(公告)号: CN105936095B 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: 竹之内研二 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: B28D5/02 分类号: B28D5/02;B28D7/02;B28D7/00;H01L21/67;H01L21/78
代理公司: 11127 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 李辉;于靖帅<国际申请>=<国际公布>=
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供切削装置和晶片的切削方法,对于在间隔道上形成有Low‑k膜或TEG等的晶片等,在利用切削刀具进行切削的情况下,不使器件的品质降低。切削装置的切削单元(6)采用具有如下的部分的结构:能够旋转的切削刀具(60),其安装于主轴并在外周具有切刃(601);切削水供给喷嘴(67),其对切削刀具(60)供给切削水(L);光催化材料(68),其与切削水(L)接触;以及光照射器(69),其激发光催化材料(68)而对切削水(L)赋予基于羟基自由基的氧化力。
搜索关键词: 切削 装置 晶片 方法
【主权项】:
1.一种切削装置,其中,该切削装置具有:/n卡盘工作台,其对被加工物进行保持;/n切削组件,其对保持在该卡盘工作台上的被加工物进行切削;以及/n加工进给机构,其对该卡盘工作台与该切削组件相对地进行加工进给,/n该切削组件包含:/n能够旋转的切削刀具,其安装于主轴并在外周具有切刃;/n切削水供给喷嘴,其对该切削刀具供给切削水;/n光催化材料,其配设成固定于该切削水供给喷嘴,并与切削水接触;以及/n光照射器,其激发该光催化材料而对从该切削水供给喷嘴喷射的切削水赋予基于羟基自由基的氧化力,/n所述被加工物为在间隔道上形成有Low-k膜或TEG的晶片、由难切削材料构成的基板。/n
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