[发明专利]一种大直径尺寸SiC籽晶的制备方法有效
| 申请号： | 201610114650.8 | 申请日： | 2016-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN105671638B | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 彭燕;陈秀芳;徐现刚;胡小波 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C30B33/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种大直径尺寸SiC籽晶的制备方法，它包括：将小直径SiC籽晶进行修整切割；采用密排拼接方式粘结固定在籽晶托上，形成第一层籽晶，在第一层籽晶的小直径SiC籽晶之间的缝隙上方再粘结固定第二层籽晶，使第二层籽晶覆盖第一层籽晶形成的缝隙，形成双层拼接排列籽晶，然后进行抛光，进行退火，促进侧向生长，制得完整的大直径尺寸SiC籽晶。本发明的制备方法，减小了大直径尺寸SiC衬底中内应力进而提高了大直径尺寸SiC衬底质量。相对现有技术简单易行并相对传统扩径方法能够实现SiC衬底直径的快速增加，效率高，且成功率高。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 第一层 衬底 制备 粘结固定 退火 侧向生长 拼接方式 籽晶托 抛光 减小 扩径 密排 成功率 拼接 修整 切割 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种大直径尺寸SiC籽晶的制备方法，步骤如下：（1）选择多个标准小直径SiC籽晶，将小直径SiC籽晶进行修整切割；（2）将修整切割后的小直径SiC籽晶，采用密排拼接方式粘结固定在籽晶托上，形成第一层籽晶，并使密排拼接得到的形状与目标大直径尺寸SiC籽晶的形状一致；（3）在第一层籽晶的小直径SiC籽晶之间的缝隙上方再粘结固定第二层籽晶，使第二层籽晶覆盖第一层籽晶形成的缝隙，形成双层拼接排列籽晶；（4）将步骤（3）得到的双层拼接排列籽晶进行抛光，使得第二层籽晶与第一层籽晶厚度差减小并去除损伤层；（5）将步骤（4）处理得到的籽晶进行退火，促进侧向生长，制得完整的大直径尺寸SiC 籽晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610114650.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：印刷前的吸尘器
- 下一篇：一种晶硅太阳能电池丝网印刷的可调角度印刷装置
