[发明专利]一种具有中心对称性的SiC单晶生长装置及方法在审
| 申请号： | 201610114960.X | 申请日： | 2016-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN105568370A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 胡小波;彭燕;陈秀芳;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有中心对称性的SiC单晶生长装置，包括带盖的石墨坩埚，石墨坩埚的底部连接有使石墨坩埚旋转的旋转系统，所述的旋转系统包括旋转托盘、中心旋转杆和驱动中心旋转杆主动的驱动装置，驱动装置通过三通连接件与真空生长腔密闭连接，中心旋转杆穿过三通连接件与驱动装置连接。本发明的生长装置，石墨坩埚的底部连接有使石墨坩埚旋转的旋转系统，使用时中心旋转杆的转速为1-60转/分钟，克服了螺旋状感应线圈和保温导致的非中心对称的温场；构建了中心对称温场，并使物质传输呈现中心轴对称性，使生长得到的晶体具有中心对称性，边缘各处厚度相等，提高了晶体材料的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 中心 对称性 sic 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种具有中心对称性的SiC单晶生长装置，包括加热装置、真空生长腔、带盖的石墨坩埚，其特征在于，石墨坩埚的底部连接有使石墨坩埚旋转的旋转系统，所述的旋转系统包括旋转托盘、中心旋转杆和驱动中心旋转杆主动的驱动装置，驱动装置通过三通连接件与真空生长腔密闭连接，中心旋转杆穿过三通连接件与驱动装置连接，旋转托盘包括旋转盘以及与旋转盘固定连接的旋转柄，旋转盘的顶部与石墨坩埚底端连接，旋转柄的底端与中心旋转杆连接。
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