[发明专利]湿度传感器有效
申请号: | 201610115481.X | 申请日: | 2016-03-01 |
公开(公告)号: | CN105938117B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 二木俊郎 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | G01N27/22 | 分类号: | G01N27/22 |
代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供湿度传感器,该湿度传感器与半导体制造工序保持兼容性、并且使每单位面积的电容增大、且改善感湿膜的紧贴性和埋入性。以在前后左右四个方向上彼此邻接的方式配置多个第一电极和多个第二电极,经由金属布线使第一电极与其他第一电极电连接、且使所述第二电极与其他第二电极电连接。 | ||
搜索关键词: | 湿度 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种湿度传感器,该湿度传感器具有:/n半导体基板;/n绝缘膜,其设置于所述半导体基板的表面;/n多个第一电极和多个第二电极,它们形成于所述绝缘膜上;/n第一金属布线,其形成于所述绝缘膜中,且使所述第一电极与其他第一电极电连接;以及/n感湿膜,其配置于所述第一电极和所述第二电极上,/n该湿度传感器的特征在于,/n除外周部之外,在所述第一电极的前后左右四个方向上配置有所述第二电极,在所述第二电极的前后左右四个方向上配置有所述第一电极,/n该湿度传感器具有第二金属布线,该第二金属布线形成于所述绝缘膜中,且经由通孔使所述第二电极与其他第二电极电连接。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾普凌科有限公司,未经艾普凌科有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610115481.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种卡非佐米中间体中杂质的检测方法
- 下一篇:定量X射线分析-比率校正