[发明专利]一种密码芯片光故障注入系统和攻击方法在审
| 申请号： | 201610115573.8 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105763312A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 王红胜;宋凯;张阳;陈开颜;李宝晨;陈军广;吴令安 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军军械工程学院 |
| 主分类号： | H04L9/00 | 分类号： | H04L9/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 050003 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种密码芯片光故障注入系统，其包括带有Flash存储器的待测密码芯片、紫外线灯、对密码芯片中Flash储存器进行读写操作的PC及程序烧写器、紫外控制装置；其中紫外线灯放置在距芯片4cm‑6cm处进行照射。利用本发明的上述系统能够对密码芯片进行光故障注入攻击，这种攻击方法复杂度很低，不需要复杂的计算，仅通过128次比较就能获得AES算法的完整密钥，对于密码芯片的破译及安全防护均具有十分重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 密码 芯片 故障 注入 系统 攻击 方法 | ||
【主权项】：
一种密码芯片光故障注入系统，其特征在于：该系统包括如下装置：带有可反复擦写的Flash存储器并经解封的待测密码芯片、发射240nm‑260nm波长紫外线的紫外线灯、对密码芯片中Flash储存器进行读写操作的PC及程序烧写器、用于控制紫外线故障感应影响范围的紫外控制装置；其中紫外线灯放置在距芯片4cm‑6cm处进行照射。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军军械工程学院，未经中国人民解放军军械工程学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610115573.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
