[发明专利]一种黑硅双面电池的制作方法在审

专利信息
申请号: 201610115909.0 申请日: 2016-03-02
公开(公告)号: CN105576081A 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 林振龙;杨晓琴;黄明 申请(专利权)人: 江西展宇新能源股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/028
代理公司: 江西省专利事务所 36100 代理人: 杨志宇
地址: 334100 江西*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明公开了一种黑硅双面太阳能电池的制作方法,包括以下步骤:(1)将硅片进行双面制绒;(2)采用金属辅助化学腐蚀在硅片两面面制作黑硅结构;(3)用KOH修复纳米绒面后,再用酸将金属离子去除干净;(4)第一面采用PECVD沉积形成含硼二氧化硅层;(5)第二面采用PECVD沉积形成含磷二氧化硅层;(6)双面共扩散,双面进行SiNx沉积(7)双面丝网印刷、烧结,形成黑硅双面太阳能电池。采用本发明,可以提高扩散后电池表面掺杂浓度,还可以提高其开路电压、短路电流和转换效率。
搜索关键词: 一种 双面 电池 制作方法
【主权项】:
一种黑硅双面电池的制作方法,其特征为:具体步骤为:a.将硅片进行双面制绒;b.采用金属辅助催化腐蚀制作黑硅结构;c.采用酸去除金属离子;d.第一面采用PECVD沉积形成含硼二氧化硅层;e.第二面采用PECVD沉积形成含磷二氧化硅层;f.双面共扩散、沉积SiNx;g.形成黑硅双面电池。
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