[发明专利]一种黑硅双面电池的制作方法在审
申请号: | 201610115909.0 | 申请日: | 2016-03-02 |
公开(公告)号: | CN105576081A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 林振龙;杨晓琴;黄明 | 申请(专利权)人: | 江西展宇新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/028 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 杨志宇 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了一种黑硅双面太阳能电池的制作方法,包括以下步骤:(1)将硅片进行双面制绒;(2)采用金属辅助化学腐蚀在硅片两面面制作黑硅结构;(3)用KOH修复纳米绒面后,再用酸将金属离子去除干净;(4)第一面采用PECVD沉积形成含硼二氧化硅层;(5)第二面采用PECVD沉积形成含磷二氧化硅层;(6)双面共扩散,双面进行SiNx沉积(7)双面丝网印刷、烧结,形成黑硅双面太阳能电池。采用本发明,可以提高扩散后电池表面掺杂浓度,还可以提高其开路电压、短路电流和转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 电池 制作方法 | ||
【主权项】:
一种黑硅双面电池的制作方法,其特征为:具体步骤为:a.将硅片进行双面制绒;b.采用金属辅助催化腐蚀制作黑硅结构;c.采用酸去除金属离子;d.第一面采用PECVD沉积形成含硼二氧化硅层;e.第二面采用PECVD沉积形成含磷二氧化硅层;f.双面共扩散、沉积SiNx;g.形成黑硅双面电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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