[发明专利]一种黑硅双面电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种黑硅双面太阳能电池的制作方法，包括以下步骤：（1）将硅片进行双面制绒；（2）采用金属辅助化学腐蚀在硅片两面面制作黑硅结构；（3）用KOH修复纳米绒面后，再用酸将金属离子去除干净；（4）第一面采用PECVD沉积形成含硼二氧化硅层；（5）第二面采用PECVD沉积形成含磷二氧化硅层；（6）双面共扩散，双面进行SiNx沉积（7）双面丝网印刷、烧结，形成黑硅双面太阳能电池。采用本发明，可以提高扩散后电池表面掺杂浓度，还可以提高其开路电压、短路电流和转换效率。

主权项

一种黑硅双面电池的制作方法，其特征为：具体步骤为：a.将硅片进行双面制绒；b.采用金属辅助催化腐蚀制作黑硅结构；c.采用酸去除金属离子；d.第一面采用PECVD沉积形成含硼二氧化硅层；e.第二面采用PECVD沉积形成含磷二氧化硅层；f.双面共扩散、沉积SiNx；g.形成黑硅双面电池。