[发明专利]一种高k金属栅表面形貌仿真的方法及系统有效
| 申请号： | 201610116482.6 | 申请日： | 2016-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN107153718B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 徐勤志;陈岚;刘宏伟;方晶晶 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/398 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 周放;江怀勤 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高k金属栅表面形貌仿真的方法及系统，包括：根据工艺制程将高k金属栅CMP工艺流程依序划分成多个子流程，得到子流程序列；根据各子流程中的工艺构建对应各子流程的工艺模型；依序利用所述子流程序列中子流程的工艺模型仿真所述子流程，得到仿真后的表面形貌。由于该方法能考虑工艺流程中各工艺和初始表面形貌对最终研磨表面形貌的影响，可以对高k金属栅的表面形貌进行精确仿真。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 表面 形貌 仿真 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种高k金属栅表面形貌仿真的方法，其特征在于，包括：根据工艺制程将高k金属栅CMP工艺流程依序划分成多个子流程，得到子流程序列；根据各子流程中的工艺构建对应各子流程的工艺模型；依序利用所述子流程序列中子流程的工艺模型对所述子流程进行仿真，得到仿真后的表面形貌，仿真过程包括：获取当前子流程待处理初始表面形貌；将所述待处理初始表面形貌、工艺参数输入当前子流程的工艺模型，对当前子流程工艺进行模拟，得到当前子流程仿真后的表面形貌，并将当前子流程仿真后的表面形貌作为下一个子流程待处理初始表面形貌。
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